晶圆从单晶硅棒拉制完成经历了切片、研磨、抛光等加工工序，中间接触了抛光剂、研磨料等各种化学试剂，同时还受到了微粒的污染，因此最后需要将这些杂质清除干净。

　　当分子型杂质吸附在硅片表面时，化学清洗首先清洗这些有机杂质，可用四氯化碳、三氯乙烯、甲苯、丙酮、无水乙醇等有机溶剂，也可采用浓硫酸碳化、硝酸或碱性过氧化氢洗液氧化等方法去除。

　　离子型和原子型吸附的杂质用盐酸、硫酸、硝酸或碱性过氧化氢洗液以清洗掉离子型吸附杂质，然后再用王水或酸性过氧化氢清洗掉残存的离子型杂质及原子型杂质，最后用高纯水将硅片冲洗干净。

　　综上，清洗硅片的一般步骤为：去分子型杂质→去离子型杂质→去原子型杂质→高纯水清洗。